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高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)：廠商沈陽美濟(jì)真空科技有限公司。（品牌：美濟(jì)真空）型號(hào)MJCK-500，產(chǎn)品實(shí)用可靠，自動(dòng)化程度高，整套設(shè)備操作簡便，綜合功能多，擴(kuò)展空間大，熱處理部分也在原來的設(shè)備基礎(chǔ)上全面改進(jìn)升級(jí)了，完全滿足國內(nèi)高等院校和科研院所的需要。

高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)性能參數(shù)，基片尺寸：≥110×110mm，基片加擋板。基片臺(tái)：基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-25rpm連續(xù)可調(diào)，光控定位；

　　MJCK550磁控濺射鍍膜設(shè)備樣品臺(tái)樣片架可公轉(zhuǎn)，可自轉(zhuǎn)，可升降，基片加熱溫度1300度。超高真空分子束外延室與磁控濺射聯(lián)合實(shí)驗(yàn)平臺(tái)系統(tǒng)，左邊數(shù)第一個(gè)第二個(gè)真空室是分子束外延室真空度可達(dá)2X10-7Pa，基片加熱溫度1700度，第三個(gè)是進(jìn)樣室，第四個(gè)是磁控濺射室，磁控濺射室基片加熱溫度1300度

高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 性能參數(shù)，本臺(tái)設(shè)備主要是以磁控濺射的方式實(shí)現(xiàn)鍍膜功能的，整套設(shè)備操作簡便，綜合功能多，擴(kuò)展空間大。系統(tǒng)主要由四靶濺射室，MJCB-200型磁控濺射靶,樣品轉(zhuǎn)臺(tái)、真空系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng),直流電源、和計(jì)算機(jī)控制鍍層系統(tǒng)等組成。

基片尺寸：≥110×110mm，基片加擋板?；_(tái)：基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-25rpm連續(xù)可調(diào)，光控定位；襯底加熱：采用真空專用加熱器，室溫～1500℃可調(diào)可控；

設(shè)備用途：該設(shè)備是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點(diǎn)和納米晶顆粒等薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設(shè)備可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨(dú)立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個(gè)真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

設(shè)備用途：該設(shè)備是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點(diǎn)和納米晶顆粒等薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設(shè)備可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨(dú)立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個(gè)真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

本系統(tǒng)為高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備，用于通過磁控濺射法沉積非金屬與金屬膜，用戶可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨(dú)立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個(gè)真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空閘板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片,樣片載體為直線運(yùn)動(dòng)的傳遞機(jī)構(gòu)。