1總體介紹

　　1.1本系統(tǒng)為高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備，用于通過磁控濺射法沉積非金屬與金屬膜，用戶可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨(dú)立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個(gè)真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空閘板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片,樣片載體為直線運(yùn)動(dòng)的傳遞機(jī)構(gòu)。

　　2主要功能

　　2.1本系統(tǒng)一共有4塊磁控濺射靶，都可以在中頻或直流狀態(tài)工作，濺射靶材可以根據(jù)用戶的需求更換。

　　3基片

　　3.1.基片臺(tái)、基片臺(tái)加熱機(jī)構(gòu)：基片加熱溫度：室溫～1000℃，旋轉(zhuǎn)速度5～60轉(zhuǎn)/分,可調(diào)；

　　3.2基片和基片加熱機(jī)構(gòu)可分別升降，便于基片加熱和傳送。

　　3.3磁控濺射室可鍍最大有效尺寸≦Φ50㎜襯底一片，靶軸與真空室軸夾角70o靶面到襯底距離±50mm在線可調(diào)，偏擺可調(diào)±15°。極限真空：2×10-6Pa、恢復(fù)真空7×10-4Pa：30～40分鐘（充干燥氮?dú)猓?/p>

　　3.4工作條件：供電：～380V，冷卻水循環(huán)量1m3/h，工作環(huán)境溫度10℃～40℃。