1、該設(shè)備是一種多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備，適用于鍍制各種單層膜、多層膜及攙雜膜系?？慑兘饘?、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜(需配射頻電源)、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué)反應(yīng)膜。

　　2、為避免微粒物資落到基片上，采用基片在上、磁控濺射靶在下的結(jié)構(gòu)，即由下向上濺射。3、為滿足鍍制攙雜膜的要求，采用多靶向心濺射的方式。

　　4、可以采用單靶獨(dú)立、雙靶、三靶任意輪流或組合共濺工作模式，射頻直流兼容。

　　5、所有靶面均可以沿軸向位移，與真空室軸夾角70o，位移量±50mm，可變角度±15o。所有靶上都帶有電動(dòng)檔板，以防止靶面在未工作時(shí)被污染。這一功能為尋找實(shí)驗(yàn)參數(shù)提供了強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)手段。

　　6、為了保證鍍膜的工藝性（預(yù)濺射、多層膜、攙雜膜、防止交叉污染和干擾等），每只磁控濺射靶均配備磁力耦合電動(dòng)擋板（配裝電機(jī)），可在操作面板上電動(dòng)控制靶擋板的開關(guān)。

　　7、基片加熱器采用高純石墨加熱器，可以避免加熱元件放氣或揮發(fā)對(duì)基片和真空室的污染，加熱器的可靠性高，壽命長。

　　8、由于采用了超高真空密封技術(shù)，極限真空度高，可達(dá)2×10-5Pa，可保證更高的鍍膜純凈度，提高鍍膜質(zhì)量。

　　恢復(fù)工作真空時(shí)間短，從大氣到工作真空（7×10-4Pa）時(shí)間30～40分鐘（充干燥氮?dú)猓?/p>

　　運(yùn)動(dòng)部件的密封，采用磁力耦合動(dòng)密封技術(shù)。

　　真空規(guī)用金屬規(guī)（不用玻璃規(guī)），密封口用刀口金屬密封結(jié)構(gòu)。